什么是迁移率μ？载流子迁移率的测量方法有哪几种？
2021-04-09 06:45
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27
另一方面，按照现在的技术水平，SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（VCS=20V以上则逐渐饱和）。如果
2019-04-09 04:58
。这就使得MOSFET在SiC功率电子器件中具有重要的意义。2000年研制了国内第一个SiCMOSFETt31。器件最大跨导为0.36mS/mm，沟道电子迁移率仅为14cm2/(V·s)。反型层迁移率低
2017-06-16 10:37
=CVdd/Ion）增加或者器件的开关速度减小。由于InAs和GaAs的电子迁移率高于Si的电子迁移率，Ge和InSb的空穴迁移率高于Si的空穴迁移率，如果选用上述高
2018-10-19 11:08
另一方面，按照现在的技术水平，SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si器件要高。 因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（VCS=20V以上则逐渐饱和）。 如果
2023-02-07 16:40
TFT有源矩阵液晶显示是可以实现活动视频图象显示的液晶显示，但是，在非晶硅薄膜上制作的有源矩阵TFT由于其电子迁移率低，而不得不将器件面积作得稍大，因此在很小的像素面积上占据了不少比例，使像素的开口
2018-11-16 16:08
另一方面，按照现在的技术水平，SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（VCS=20V以上则逐渐饱和）。如果
2019-05-07 06:21
e图2：空穴和电子的迁移率迁移率和tc成正比，由于空穴的有效质量比较大，因此在同样的掺杂浓度下，空穴的迁移率远小于电子，这意味着：同样的晶元面积，P沟道的功率MOSFET
2016-12-07 11:36
使用RHEED density优化的MBE growth conditions, 生长高迁移率的GaAs/AlGaAs inverted-HEMT
2014-07-28 17:28
