沟道有效迁移率（µeff）是CMOS器件性能的关键参数。传统测量方法在高k介质、漏电介质与高速应用中易出现误差。本文介绍了UFSP（Ultra-Fast Single Pulse）技术如何准确提取迁移率，克服这些挑战。
2025-05-19 14:28
载流子迁移率测量方法总结 0 引言 迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数，它决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。已有很多文章对载流子迁
2009-11-03 10:44
前言 载流子输运就是求电流密度相关。目录 前言 平均自由时间 & 散射概率 平均自由时间 & 迁移率 平均自由时间 & 电导率 迁移率-温度关系 电阻
2023-02-27 10:34
据日本研究人员报告，通过减少碳污染来避免碳污染源导致的“迁移率崩溃”，氮化镓（GaN）的电子迁移率性能创下新高 。
2024-03-13 10:51
什么是迁移率μ？载流子迁移率的测量方法有哪几种？
2021-04-09 06:45
在高k金属栅之外，另一种等效扩充的方法是增加通过器件沟道的电子或空穴的迁移率。表2.5列举了一些提高器件载流子迁移率的手段及其对 PMOS或者 NMOS的作用。
2025-05-30 15:19
陷阱等缺陷捕获，导致沟道内有效载流子数目大幅减少。此外，部分陷阱在俘获电子之后会变成带电中心，致使沟道表面的库仑散射效应加剧，沟道迁移率会进一步下降。
2024-10-16 11:29
8.2.10.2反型层迁移率的器件相关定义8.2.10反型层电子迁移率8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第８章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往
2022-03-04 10:19 深圳市致知行科技有限公司 企业号
摘要：栅极控制能力是决定氮化镓高电子迁移率晶体管性能的关键因素。然而在金属-氮化镓界面，金属和半导体的直接接触会导致界面缺陷和固定电荷，这会降低氮化镓高电子迁移率晶体管栅控能力。在本项研究中，二维
2023-05-25 16:11
8.2.10.1影响反型层迁移率的机理8.2.10反型层电子迁移率8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第８章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内
2022-03-03 09:46 深圳市致知行科技有限公司 企业号
