率MOSFET、查阅产品数据表的时候，看到前面好几个电流的定义：连续漏极电流ID、IDSM、脉冲漏极电流IDM、雪崩电流
2016-08-15 14:31
有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR，同时标注了测量条件，通常有起始温度25C，最高结温150C或者175C，以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率，这些测量的条件
2017-09-22 11:44
，将对每一个参数进行详细的说明和分析。力求在原理和对应用的影响上把运放参数阐述清楚。由于本人的水平有限，写的博文中难免有些疏漏，希望大家批评指正。第一节要说明的是运放的输入偏置电流Ib和输入失调
2021-12-29 06:28
典型应用用于RT8452升压配置的真PWM调光用于降压 - 升压或降压 - 升压拓扑的高压大电流LED驱动器控制器。 RT8452是一款电流模式PWM控制器，设计用于驱动外部MOSFET，用于高
2019-08-30 08:37
用于降压 - 升压或降压 - 升压拓扑的RT8452高压大电流LED驱动器控制器的升压配置中的典型应用模拟调光。 RT8452是一款电流模式PWM控制器，设计用于驱动外部MOSFET，用于高
2019-09-03 08:43
用于降压 - 升压或降压 - 升压拓扑的RT8452高压大电流LED驱动器控制器的降压 - 升压配置的典型应用模拟调光。 RT8452是一款电流模式PWM控制器，设计用于驱动外部MOSFET，用于高
2019-09-04 08:39
关断功率MOSFET。这些保护措施包括逐周期电流限制（OCP）、过载保护（OLP）、VDD 欠压锁（UVLO）保护、过压保护（OVP） 。逐周期电流限制（OCP）带有内置线电压补偿，可实现宽
2020-07-06 10:57
典型应用降压配置中的模拟调光，当VIN2超过150V时，用于RT8485高压大电流LED驱动器控制器，用于降压，升压或降压 - 升压拓扑。 RT8485是一款电流模式PWM控制器，设计用于驱动外部MOSFET，用于高
2019-10-21 08:35
1中的t1），源极电压（VGS）正接近MOSFET的阈值电压，VTH和漏电流为零。因此，在此期间的功率损耗为零。在t2时段，MOSFET的寄生输入电容（CISS）开始充
2022-11-16 08:00
N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS（ON）。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是
2011-08-17 14:18
