总结了几种热载流子,并在此基础上详细讨论了热载流子注入(HCI) 引起的退化机制。对器件寿命预测模型进行了总结和讨论。为MOSFET 热载流子效应可靠性研究奠定了基础。
2012-04-23 15:33
MOSFET热载流子退化寿命模型参数提取.
2012-04-23 15:38
为什么称空穴是载流子？在空穴导电时，电子运动吗？
2012-07-11 20:32
载流子——电流的搬运工·载流子，顾名思义，“载”就是运载的意思，“流”就是电流，“子”就是粒子的意思，合起来理解就是运载电流的粒子。我们知道电荷的定向移动就形成了电流，而电荷就是载流子所携带的，也就
2019-12-06 08:57
与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等
2018-12-28 15:44
大学。甚至百度百科上也这么说：于是我们必须知道一个问题：金属中的主要载流子，并非自由电子，还有可能是空穴！不要以为只有半导体中才有空穴。实验判断依据是看霍尔系数，例如金属铜Cu的霍尔系数是-0.55
2019-04-22 12:49
是一种多数载流子器件，能够以较高的速度工作，因为没有电荷存储效应； 3、MOSFET没有二次击穿失效机理，它在温度越高时往往耐力越强，而且发生热击穿的可能性越低，还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能
2012-12-10 21:37
载流子平衡的低压高效有机白光器件【作者】：委福祥;方亮;蒋雪茵;张志林;【来源】：《光电子.激光》2010年03期【摘要】：研究了结构为ITO/m-MTDATA:x%4F-TCNQ/NPB
2010-04-22 11:31
是一种多数载流子器件，能够以较高的速度工作，因为没有电荷存储效应； 3、MOSFET没有二次击穿失效机理，它在温度越高时往往耐力越强，而且发生热击穿的可能性越低，还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能
2012-01-06 22:55
载流子迁移率测量方法总结 0 引言 迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数，它决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。已有很多文章对载流子迁
2009-11-03 10:44
