增高后切换损耗的增加非常小。最后，碳化硅（SiC）MOSFET的跨导曲线更加平滑，栅极电压的小变化对电流的影响较小，易于在多个设备间进行动态的电流共享。
2023-12-19 11:59 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-09-18 16:54
利用仿真技术验证了由于源极LSource生成反电动势VLS，通过MOSFET的电压并不等于全部的驱动电压VDRV。MOSFET导通时3引脚封装的反电动势VLS、栅极-源极VGS波形如下图所示。图中用圆圈突出显示的部分
2018-03-30 16:21
用于高功率和高频应用的最有前途的器件之一是 SiC MOSFET。2,3 它支持更高的结温，其特点包括低导通电阻和更高的开关。SiC MOSFET 允许构建具有更高功率密度和更高效率的转换器。然而
2022-08-03 09:40
对于MOSFET，欧姆电阻不仅仅只考虑沟道电阻，对于阻断电压在50V以上的器件中低掺杂中间区域的电阻起到决定作用。
2021-05-01 17:26
目录 ⊙击穿电压 ⊙导通电阻 ⊙跨导 ⊙阈值电压 ⊙二极管正向电压 ⊙功率耗散 ⊙动态特性 ⊙栅极电荷 ⊙dv/dt 能力 尽管分立式功率MOSFET的几何结构，电压和
2023-06-17 14:24
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。本文探讨
2016-12-15 16:00
仪表放大器由两个匹配良好的跨导放大器(GM1和GM2)、隔直放大器(HPA)和一个由C1和一个运算放大器构成的积分器组成。跨导放大器GM1产生一个与其输入电压成比例的电
2023-03-12 10:10
DC/DC开关控制器的MOSFET选择是一个复杂的过程。仅仅考虑MOSFET的额定电压和电流并不足以选择到合适的MOSFET。要想让MOSFET维持在规定范围以内，必须
2023-05-04 17:29
问题1：在功率MOSFET管应用中，主要考虑哪些参数？在负载开关的功率MOSFET管导通时间计算，通常取多少比较好？相应的PCB设计，铜箔面积布设多大散热会比较好？漏极、源极铜箔面积大小是否需要一样？有公式可以计算吗
2023-12-03 09:30
