的MOSFET从跨导的定义来说，由于ID不再增加，因此被定义为饱和区，但为什么又叫做放大区呢？问题分析：（1）可变电阻区表明MO
2016-12-21 11:39
概述：OPA2662是BURR-BORWN生产的一款双通道宽带宽运算跨导放大器。它为双列直插或SOL-16脚DIP封装。工作电压±6V，370MHz的带宽，转换速率58mA/ns，输出电流±75mA。
2021-05-18 07:36
矛盾的参数，为了减小导通电阻，就必须增加硅片面积；硅片面积增加，寄生的电容也要增加，因此对于一定的面积硅片，只有采用新的工艺技术，才能减小的寄生的电容。通常功率MOSFET的开关损耗主要与米勒电容、即
2016-10-10 10:58
最大的连续漏极电流ID的计算公式： 其中，RDS(ON)_TJ(max)为在最大工作结温TJ下，功率MOSFET的导通电阻；通常，硅片允许的最大工作结温
2016-08-15 14:31
时刻并不一样，因此开通时刻和关断时刻的米勒平台电压VGP也不一样，要分别根据各自的电流和跨导计算实际的米勒平台电压。（2）模式M2：t6-t7在t6时刻，功率MOSFET进入关断的米勒平台区，这个阶段
2017-03-06 15:19
最主要的是沟道和电荷平衡技术。 在沟道技术中，晶片中嵌入了一个深沟，通常是为低电压预留的，用于降低导通电阻RDS（ON）。为了减少最大VDS对RDS（ON）的影响，开发过程中采用了外延生长柱/蚀刻柱工艺。例如
2011-08-17 14:18
组图三差分对相乘器四象限线性化可变跨导相乘器分析
2021-03-31 06:57
，几代MOSFET晶体管使电源设计人员实现了双极性早期产品不可能实现的性能和密度级别。然而，近年来，这些已取得的进步开始逐渐弱化，为下一个突破性技术创造了空间和需求。这就是氮化镓（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet
2023-06-16 06:04
和突然，因为通常的观点都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当多个并联工作的功率MOSFET其中的一个温度上升时，由于其具有正的温度系数，
2016-09-26 15:28
