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的。误触发信号受哪些因素影响：1、控制信号和Id电流回路太大；2、地线的干扰影响；3、GS阻抗的影响；4、MOSFET本身特性的影响。选择MOS管的考量因素：1、高压管子：AC120VDC170V以上的

2025-04-19 16:16 张飞实战电子官方 企业号

，对应的就是开 通电压和关断电压，我们把这个电压叫做阈值。同样的，MOSFET 也有阈值电压彻底搞懂MOSFET讲解（四）

2021-08-30 19:35

接下来我们讨论一下Igs电流。由于下拉电阻R2比栅极驱动电阻R3大很多，所以，接下来分析时忽略掉下拉电阻，这个时候就要看电容了。刚开始充电的是时候，电容的电压为0。所以，最开始的充电电流就是12V/100R=120mA，这就是Igs最开始的充电电流如果GS电容的电充满了，对于R2下拉电阻这条电路而言的电流就是12V/18K=0.67mA，是一个特别小的电流。通过分析，我们知道，Igs电流是和Vgs

2025-04-18 13:29 张飞实战电子官方 企业号

正弦波进行叠加，那么，我们MOSFET由于米勒平台时间短，dv/dt就很大，就表示开关波形的沿越陡，棱角越分明。一般我们所说的基波是一个标准的正弦波，dv/dt产生的开关波形，可以由这个基波和很多个高次谐

2025-04-19 16:05 张飞实战电子官方 企业号

这种单桥臂载波的管子，哪个管子发热会大呢？MOS管的四大损耗：开通损耗，关断损耗，导通损耗，续流损耗上桥臂载波情况下：假设I=1A，Rdson=3mΩ。所以导通损耗：P=I^2*Rdson=3mW续流损耗：P=U*I=0.7V*1A=0.7W四大损耗各有占比，随着电流的变化而变化的。可以通过理论去计算，但是不准，实际情况需要通过波形测试进行计算。我们这里先定性，不定量定性：假设电流很小时，开关损耗

2025-04-21 13:35 张飞实战电子官方 企业号

当 Vds 电压升高时，MOSFET 寄生电容总体呈下降的。当 Vds 电压 越低的时候，MOSFET 寄生电容越来越大，尤其是 Coss 电容。那么， 随着电压的升高，Coss 下降的是最快

2025-04-22 13:31 张飞实战电子官方 企业号

我们上一章讲到了米勒电容，它在 MOSFET 开通过程中，扮演着十分重要的 角色。为什么呢？待会儿再来看。我们先来研究一下 MOSFET 如何进行导通的。首先，它和三极管一样，也有一个导通阈值。在模

2025-04-17 13:20 张飞实战电子官方 企业号

我们知道了三极管MOS管在进入饱和导通之前，必然会经过放大区。好在三极管经过放大区的时间很短，但是MOS管在米勒平台这段区域的时间会更长，也会更容易损坏。上面是Vgs波形，接下来我们来看Vds波形是什么样子的我们知道当Vgs电压达到Vth时，MOS管进入放大导通区域，而此时D端的电位会从原来的200V在t1~t2期间内会有略微的下降。同时，我们也知道，在Vgs电压达到Vth时，Id开始有电流了我们

2025-04-17 13:29 张飞实战电子官方 企业号

接下来讨论低阈值管子的优势。那么，MOSFET的导通阈值低，它的好处就说对信号的幅值要求就小了。假设MOSFET的导通阈值是1V或者2V，那么一个3.3V的单片机就可以搞定了我们也知道，高阈值的管子

2025-04-22 13:24 张飞实战电子官方 企业号

接下来我们要讲一下开通和关断的问题了。那么，MOSFET如何进行开通，如何进行关断呢？以及在这个过程中，会不会也产生损耗。在讲这个之前，我再做一个补充：这个电路是断路的，一旦GS电容上有电的话，那么

2025-04-16 13:34 张飞实战电子官方 企业号