SGT-MOSFET各项参数解读
2024-12-30 14:15
MOSFET规格书解读与参数详解说明。
2021-06-23 09:32
1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到
2019-03-06 06:30
MOSFET结构、特性参数及设计详解
2023-01-26 16:47
众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率
2023-10-18 09:11
`技术解读（框架、场景案例解读）`
2021-06-04 17:12
导通电阻（RDSON）指的是在规定的测试条件下，使MOSFET处于完全导通状态时（工作在线性区），漏极（D）与源极（S）之间的直流电阻，反映了MOSFET在导通状态下对电流通过的阻碍程度。
2025-05-26 15:09
MOSFET的热阻（Rth）用来表征器件散热的能力，即芯片在工作时内部结产生的热量沿着表面金属及塑封料等材料向散热器或者环境传递过程中所遇到的阻力，单位是℃/W，其值越小越好。
2025-06-03 15:30
MOSFET是电子系统中的重要部件，需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。这些关键指标中，以静态特性和动态特性更为重要，本文主要讨论静态特性。
2018-06-29 11:10
本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程；然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法：基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程，并详细阐述了其开关过程
2011-09-14 17:39
