功率MOSFET雪崩击穿问题分析 摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及
2009-07-06 13:49
晶闸管被击穿有什么影响 晶闸管是一种半导体器件，它在控制电路中起着非常关键的作用。然而，当晶闸管被击穿时，它会受到损坏，从而影响整个电路的正常运行。因此，了解晶闸管
2023-09-13 16:39
预防电容器被击穿的风险需要从设计、安装、运行和维护等多个方面进行管理。
2024-10-24 17:56
MOS管为什么会被静电击穿？静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗？击穿就一定短路了吗？JFET管静电击穿又是怎么回
2019-05-20 17:21
MOS管的敏感性使其容易受到静电放电（ESD）的损害，这可能导致器件性能下降甚至完全失效。本文将深入探讨MOS管被击穿的原因，并提出相应的解决方案，以帮助电子工程师和技术人员更好地理解和处理这一
2024-10-04 16:44
本文开始阐述了电容击穿的概念和电容器被击穿的条件，其次分析了电容击穿后是
2018-03-27 18:21
关于电容的物理性损坏，如果说产品出现断裂的现象还能够事后进行补救的话，那么出现击穿现象的电容，基本就可以放弃治疗了。因为产品本身的结构都已经遭到了破坏，形成不了一个完整产品形状了，更别说能不能用的问题，针对可能出现的
2021-06-22 15:14
cbb电容容易击穿吗？CBB电容被击穿的常见原因 CBB电容是一种电介质电容器，它由两个金属电极之间的介质组成。介质的质量和电介质与金属电极的距离都会影响电容器的性能。CBB电容器的容量是可调
2023-09-22 17:42
本文开始介绍了击穿电压的概念和击穿电压的主要因素，其次阐述了击穿电压的工作原理以及介绍
2018-04-03 16:11
单脉冲雪崩击穿能量(Energy during avalanche for single pulse)，即 EAS。指的是MOSFET器件串联感性负载时，在单次脉冲(工作到关断)状态下，所能承受的最大能量消耗，单位是焦耳(J)，其值越大，器件在电路中遭遇瞬间过电压
2025-05-15 15:32
