本文讲了我们华林科纳研究了半导体衬底的光电效应，接触电位引起的腐蚀可以加速，光照度可以增加Pt/GaAs边界之间的接触电位，从而增强GaAs/溶液界面和Pt/溶液界面的极化，从而加速砷化镓的阳极溶解，基于这一原理，证明了光增强的电化学机制可以提高ECNL的效率。
2022-05-16 15:23
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几
2024-02-23 09:38
随着器件的特征尺寸减少到90mm 以下，栅氧化层厚度也不断减小，载流子的物理特性不再遵从经典理论，其量子效应会变得非常显著。纳米器件的沟道掺杂浓度高达3*1017cm-2以上，栅氧化层的厚度小于
2024-08-07 11:40
衬底材料和GaN之间纯在较大的晶格失配和热失配，外延层中往往存在大量的缺陷，使得HEMT器件中存在较强电流崩塌效应，影响器件的性能发挥。
2023-06-14 14:00
本文介绍了米勒效应的由来，并详细分析了MOSFET开关过程米勒效应的影响，帮助定性理解米勒平台的形成机制。最后给出了场效应管栅极电荷的作用。
2022-03-10 14:44
电子科技领域中，半导体衬底作为基础材料，承载着整个电路的运行。随着技术的不断发展，对半导体衬底材料的选择和应用要求也越来越高。本文将为您详细介绍半导体衬底材料的选择、分类以及衬
2024-01-20 10:49
但是，在刻蚀SOI衬底时，通常会发生一种凹槽效应，导致刻蚀的形貌与预想的有很大出入。那么什么是凹槽效应？什么原因引起的？怎么抑制这种异常效应呢？
2023-10-20 11:04
绝缘栅型场效应管的输入电阻很高，如果在栅极上感应了电荷，很不容易泄放，极易将PN结击穿而造成损坏。为了避免发生PN结击穿损坏，存放时应将场效应管的3个极短接；不要将它放在静电场很强的地方，必要时可放在屏蔽盒内
2019-09-09 09:46
MOSFET是一种半导体器件，属于可控硅器件，也称为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它可以用来控制电流和电压。
2023-02-17 14:48
JFET的全称为结型场效应晶体管，MOSFET的全称为金属氧化物半导体场效应晶体管。耗尽型MOSFET与JFET均属于电压控制型场
2023-11-07 14:36
