低电流范围内电气表征的典型问题是：必需确定低功率/低漏流MOSFET在不同条件下可实现的器件性能。
2021-10-20 10:59
8.2.3MOSFET电流-电压关系8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第８章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：8.2.2分裂准费米能级
2022-02-24 10:08 深圳市致知行科技有限公司 企业号
8.2.6功率MOSFET的实施：DMOSFET和UMOSFET8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第８章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内
2022-02-28 11:20 深圳市致知行科技有限公司 企业号
8.2.12MOSFET瞬态响应8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第８章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：8.2.11氧化层可靠性
2022-03-07 09:38 深圳市致知行科技有限公司 企业号
短沟道MOSFET散粒噪声测试方法研究 近年来随着介观物理和纳米电子学对散粒噪声研究的不断深入，人们发现散粒噪声可以很好的表征纳米器件内部电子传输特性。由
2010-01-26 16:45
本文我们将根据使用了几种MOSFET的双脉冲测试结果，来探讨MOSFET的反向恢复特性。该评估中的试验电路将使用上一篇文章中给出的基本电路图。另外，相应的确认工作也基于上次内容，因此请结合上一篇
2020-12-21 14:25
这款简单的MOSFET测试仪可以快速测试增强型N型和P沟道MOSFET。它检查栅极、漏极和源极之间的短路。
2023-07-27 10:12
，需要更多的制造测试能力。除了成熟的半导体ATE供应商之外，许多公司正在开发产品以满足功率MOSFET测试需求。
2023-06-30 11:26
MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么该如何量化评估呢?
2022-10-19 10:39
8.2.4饱和漏极电压8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第８章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：8.2.3MOSFET电流-电压关系
2022-02-25 09:29 深圳市致知行科技有限公司 企业号
