功率MOSFET并联均流问题研究 对频率为MHz级情况下功率MOSFET并联均流问题进行了研究，详细分析了影响功率MOSFET
2009-06-30 13:38
SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
2023-11-30 15:56
短沟道MOSFET散粒噪声测试方法研究 近年来随着介观物理和纳米电子学对散粒噪声研究的不断深入，人们发现散粒噪声可以很好的表征纳米器件内部电子传输特性。由
2010-01-26 16:45
本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC
2023-02-23 11:27
国产碳化硅（SiC）MOSFET行业近年来在政策扶持、市场需求和技术突破的推动下快速发展，但伴随的行业乱象也暴露出深层次的结构性问题，对中国功率半导体行业的可持续发展构
2025-03-26 09:15
从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先
2023-02-08 13:43
责任编辑：xj 原文标题：56页Pdf限时下载 | 芯片行业专题报告：arm深度研究 文章出处：【微信公众号：旺材芯片】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
2020-11-19 14:12
国产碳化硅MOSFET行业乱象与功率半导体发展的必然性 国产碳化硅MOSFET行业当前正处于技术追赶与市场扩张的关键期，但也暴露出技术浮躁、标准缺失、劣币驱逐良币等乱象
2025-03-16 08:11
国产碳化硅MOSFET行业乱象的深度分析，产品乱象本质上是技术追赶期“速度”与“质量”失衡的产物。唯有通过技术深耕、标准完善与生态重构，才能实现从“低端内卷”向“高端引领”的跨越。从“唯参数论”转向“全生命周期质量评估”，鼓励长期技术投入。
2025-03-01 08:21
SiC具有高效节能、稳定性好、工作频率高、能量密度高等优势，SiC沟槽MOSFET（UMOSFET）具有高温工作能力、低开关损耗、低导通损耗、快速开关速度等特点
2023-12-27 09:34
