简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑
2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
实验名称：高压放大器基于通电空心线圈的脉冲磁场分析中的应用实验设备：任意波形发生器、高压放大器（ATA-4014）、限流电阻、霍尔效应高斯计、漆包线绕制线圈、示波器实验内容：本文就通电空心线圈
2022-11-28 15:09 Aigtek安泰电子 企业号
实验名称：大功率脉冲电能源高精度测试技术研究 研究方向：仪器仪表测试 测试目的： 传统的测量精度校准的方法是对传感器单一频率下的刻度因子进行校准，校准方法通常选用同轴分流器串联于放电回路中
2024-07-10 18:16 Aigtek安泰电子 企业号
BTD25350双通道隔离，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，非常适合充电桩中后级LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列双通道隔离型门极驱动器，峰值输出电流可达10A
2023-11-30 09:42 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
，作为目前应用面最为广泛的端口，因其裸露的金属座子及对外通讯的信号 PIN 脚，容易受到 ESD 脉冲、插拔尖峰脉冲电压等快速瞬变的影响，普通的防护器件会对数据的传输
2023-03-02 15:23 深圳市优恩半导体有限公司 企业号
，USB3.0 可达 5Gbps 的数据传输速率，因为高速系统的结构较小，对 ESD 更为敏感。我们的系统一方面需要快速传输数据，另一方面也容易受到 ESD 脉冲、插
2023-03-02 15:30 深圳市优恩半导体有限公司 企业号
前言相位噪声是雷达系统性能的重要参数。大多数雷达采用脉冲调制，目标的速度是通过检测雷达反射信号相对于发射器频率的多普勒频移得出的。发射器自身的相位噪声会强烈影响该测量的分辨率和精度，限制了雷达的检测
2025-07-15 14:48 安铂克科技（上海）有限公司 企业号
第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的击穿电压强度，更低的损耗和
2023-05-29 10:16 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
