MOSFET的并联使用
2023-12-19 09:40
功率MOSFET并联均流问题研究 对频率为MHz级情况下功率MOSFET并联均流问题进行了研究，详细分析了影响功率MOSFET
2009-06-30 13:38
为了实现良好的并联设计，传统上选择 MOSFET——通过筛选——基于它们的阈值电压相似，以确保它们同时导通。然而，屏蔽 MOSFET 会增加成本和复杂性，并且仍然容易受到温度不稳定性的影响。因此，考虑到上述问题，专用
2022-08-04 08:59
如今，由于对大电流和高功率应用的需求不断增加，单一的MOSFET已经无法满足整个系统的电流要求。在这种情况下，需要多个MOSFET并联工作，以提供更高的电流和功率，这有助于减少导通损耗，降低工作温度
2024-11-27 15:32
在电力电子领域，当多个SiC MOSFET模块并联时，受器件参数、寄生参数等因素影响，会出现动态电流不均的问题，制约系统性能。本章节带你探究SiC MOSFET模块并联
2025-05-30 14:33
MOSFET管并联应用时电流分配不均问题探究 1 引言 MOSFET管的导通电阻具有正的温度特性，可自动调节电流，因而易于并联应用
2009-11-02 10:04
关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在
2022-08-01 09:51
虽然在热插拔™电路中使用多个并联MOSFET通常是可取的，有时甚至是绝对关键的，但仔细分析安全工作区（SOA）至关重要。电路中每增加一个并联MOSFET，就会改善应用的
2023-01-09 15:06
SiC MOSFET并联的动态均流与IGBT类似，只是SiC MOSFET开关速度更快，对一些并联参数会更为敏感。
2021-09-06 11:06
