耗尽型MOSFET在各类开关电源启动电路中的应用
2023-11-09 14:18
的部分就是标准的采用Trench工艺的功率MOSFET。栅极被分割成上下两个部分，下部分用一些特殊的材料屏蔽起来，下部分在内部和上部分的栅极相连，而下部分栅极的屏蔽层被连接到源极，从而减小漏极栅极米勒
2016-10-10 10:58
半导体PN结的伏安特性与其耗尽层（又称空间电荷区或阻挡层）的情况有很大关系。而耗尽层的宽度和半导体的掺杂浓度有关。低掺杂材料的耗尽层宽，高掺杂材料的
2018-01-23 11:51
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15
MOSFET教程
2020-05-24 09:22
电机驱动设计中MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计相关文章资料，大家可以看看，对大家很有帮助！
2021-03-29 16:18
本帖最后由 xuehumaiya 于 2016-7-15 10:29 编辑 N沟道MOSFET PowerTrench®[N-Channel PowerTrench® MOSFET]常用管...................
2013-03-01 08:23
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。关于雪崩击穿问题将在雪崩能量的相关章节专门的讨论。 图1：BVDSS测试电路功率MOSFET的耐压由结构中低掺杂层
2016-09-06 15:41
描述PMP11302 是一项采用 UCC28881 的高电压（166VAC 至 528VAC）降压转换器设计，通过一个串联的外部 MOSFET来实现高电压转换比。UCC28881 降压转换器提供
2018-09-07 08:57
2020-08-13 11:39
