耗尽层就是在PN结附近,其中的载流子因扩散而耗尽,只留下不能移动的正负离子的区域,又称空间电荷区.在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离
2017-04-13 10:09
与栅极相比，漏极与栅极之间的电压变化较高，因此与源极端相比，耗尽层宽度与漏极相比较高。2、P沟道耗尽型 MOSFET在P沟道耗尽型
2022-09-13 08:00
SMPS的输入电压工作范围有限。或者，可以采用基于耗尽模式MOSFET的方法，如图4所示。耗尽型 MOSFET 提供 PWM IC 启动操作所需的初始电流。在启动阶段之
2023-02-21 15:46
电源系统中的恒定电流源，固态继电器，电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET，当栅极至源极电压为零时，该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS最新的N沟道
2021-05-27 12:18
时，形成两个反向偏置的PN结：P和垂直导电N+、P+和外延epi层N-。栅极下面的的P区不能形成反型层产生导电沟道，P和垂直导电N+形成PN结反向偏置，PN结耗尽层增大，并建立横向水平电场；同时，P+和外延
2018-10-17 16:43
N沟道耗尽型MOSFET 1) N沟道耗尽型MOSFET的结构 N
2009-09-16 09:41
功率 MOSFET 最常用于开关模式应用中，它们用作开关。然而，在 SMPS 中的启动电路、浪涌和高压保护、反极性保护或固态继电器等应用中，功率 MOSFET 在栅极到源极电压 VGS 为零。当 VGS=0V 时作为正常“导通”开关工作的功率
2022-09-11 09:11
，中间的横向电场极高，只有外部电压大于内部的横向电场，才能将此区域击穿，所以，这个区域的耐压极高，远大于外延层的耐压，功率MOSFET管的耐压主要由外延层来决定。图4：横向电场及
2017-08-09 17:45
`功率半导体的核心是PN结，当N型和P型半导体结合后，在结合面处的两侧形成空间电荷区，也称为耗尽层，当PN结两端的电压变化的时候，PN结的空间电荷区的电荷也发生改变；另外，N区电子和P区空穴因为浓度
2016-12-23 14:34
SOI技术带来器件和电路性能提高的同时也不可避免地带来了不利的影响，其中最大的问题在于部分耗尽SOI器件的浮体效应。当器件顶层Si膜的厚度大于最大耗尽层的宽度时，由于结构中氧化埋层的隔离作用，器件
2020-08-05 14:45
