耗尽层就是在PN结附近,其中的载流子因扩散而耗尽,只留下不能移动的正负离子的区域,又称空间电荷区.在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离
2017-04-13 10:09
功率 MOSFET 最常用于开关模式应用中，它们用作开关。然而，在 SMPS 中的启动电路、浪涌和高压保护、反极性保护或固态继电器等应用中，功率 MOSFET 在栅极到源极电压 VGS 为零。当 VGS=0V 时作为
2022-09-11 09:11
与栅极相比，漏极与栅极之间的电压变化较高，因此与源极端相比，耗尽层宽度与漏极相比较高。2、P沟道耗尽型 MOSFET在P沟道耗尽
2022-09-13 08:00
时，形成两个反向偏置的PN结：P和垂直导电N+、P+和外延epi层N-。栅极下面的的P区不能形成反型层产生导电沟道，P和垂直导电N+形成PN结反向偏置，PN结
2018-10-17 16:43
电源系统中的恒定电流源，固态继电器，电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET，当栅极至源极电压为零时，该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXY
2021-05-27 12:18
场效应管中，随着Ugs的增加，在靠近二氧化硅绝缘体的P型衬底表面缺少多子，形成了耗尽层。
2023-02-21 16:51
MOSFET可进一步分为耗尽型和增强型。这两种类型都定义了MOSFET的基本工作模式，而术语
2023-06-28 18:17
N+、P+和外延epi层N-。栅极下面的的P区不能形成反型层产生导电沟道，P和垂直导电N+形成PN结反向偏置，PN结耗尽层
2017-08-09 17:45
N沟道耗尽型MOSFET 1) N沟道耗尽型MOSFET的结构 N
2009-09-16 09:41
电压等于0的时候，漏极电流是等于0.其中JFET中栅级与衬底之间的PN结工作在反偏，当所有的讨论都是基于源级接地的电路时，当耗尽型MOSFET、JFET的栅源电压大于0
2019-04-08 03:57
