重的电离现象，基于此，提出了较合理的改进措施，将雷电冲击耐受电压提升到480 kV，满足110 kV级电力变压器的要求。
2023-07-21 15:11
IGBT等功率器件具有称为“短路耐受时间（SCWT：Short Circuit Withstand Time）”的电气特性（参数）。通常，在IGBT等功率元器件处于短路状态时，会流过大电流并在短时间
2024-10-08 17:12
我们看MTZ1和NS630b断路器参数中有一栏“集成瞬间保护 ，峰值±10%”，这其实就是施耐德框架断路器和大塑壳断路器的DIN保护（DIN是法语Déclencheur INstantané的缩写），英文翻译为Instantaneous self-protection release，中文翻译见GB14048.2中8.3.5中的定义——瞬时超越脱扣器（Instantaneous Override）,也简称HSISC。
2023-12-04 14:36
短路耐受时间是指IGBT在短路条件下能够持续导通而不发生故障的时间。这个参数对于系统保护策略的设计至关重要，因为它决定了系统在检测到短路并采取措施（如关闭IGBT或限制电流）之前可以容忍的最长
2024-02-06 16:43
我们都知道，IGBT发生短路时，需要在10us或者更短的时间内关闭IGBT，在相同的短路能耗下可以由其他参数来进行调节，如栅极电压VGE，母线电压等，但最终都是为了保证IGBT不会因为过热而失效。而SiC MOSFET的固有短路能力较小，根本原因也是因为热，是在于短路事件前后的温度分布不合理！
2022-08-07 09:55
前段时间与现场设计师讨论到额定限制短路电流I~q~这个参数的时候，被问到它与断路器的额定极限短路分断能力I~cu~和额定运行短路分断能力I~cs~的区别，甚至与短时耐受电流I~cw~的差异。
2023-12-04 11:26
MOSFET是一种半导体器件，属于可控硅器件，也称为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它可以用来控制电流和电压。
2023-02-17 14:48
通常，在功率MOSFET的数据表中的第一页，列出了连续漏极电流ID，脉冲漏极电流IDM，雪崩电流IAV的额定值，然后对于许多电子工程师来说，他们对于这些
2021-03-11 10:53
电流虽然是由电场引起的，但是它同样受电阻影响。因为电阻反应的是材料抗拒电场的能力，电阻越大这个抗拒的能力越强，材料受电场影响产生的电流越小，所以欧姆定律是正确的。
2022-12-22 09:37
