新型高耐压功率场效应晶体管 摘要：分析了常规高压MOSFET的耐压与导通电阻间的矛盾，介绍了内建横向电场的高压MOSFE
2009-07-16 09:01
商用的Si MOSFET耐压普遍不超过900V，而SiC拥有更高的击穿场强，在结构上可以减少芯片的厚度，从而较大幅度地降低MOSFET的通态电阻，使其耐压可以提高到几千
2025-03-12 15:53
在电子电路设计中，MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种常用的功率器件，具有高速开关、低导通电阻、低驱动功耗等优点。然而，如果MOSFET超过其耐压值，可能会导致器件损坏或性能下降
2024-08-01 09:26
上一篇介绍了近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的产品定位，以及近年来的高耐压Si-MOSFET的代表超级结
2023-02-10 09:41
似乎选取功率MOSFET的耐压对于很多工程师来说是最容易的一件事情，因为设计的电子系统输入电压是相对固定的，公司选取特定的供应商的一些料号，产品额定电压也是固定的。例如在笔记本电脑适配器、手机充电器
2018-02-10 04:44
，对于50kHz以上的调制频率使用绝缘栅双极晶体管（IGBT）无 法满足这些需求，如果是380V系统，硅MOSFET耐压又不够，这就为宽禁带器件开创了新的 机会。
2024-01-09 14:22
AW2K21是一款同时实现了超小型封装和超低导通电阻的30V耐压Nch MOSFET。利用可共享2枚MOSFET电路源极的共源电路，不仅能以一体化封装实现双向电路保护，还可以通过改变引脚连接来作为单
2025-04-17 14:55
日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)开发出耐压40V的功率MOSFET ，最适合用于以工业设备和车载领域为中心的、输入电压24V的DC/DC转换器。
2012-08-08 09:18
瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压
2012-06-26 11:01
的纹波电流。然而，对于50kHz以上的调制频率使用绝缘栅双极晶体管（IGBT）无 法满足这些需求，如果是380V系统，硅MOSFET耐压又不够，这就为宽禁带器件开创了新的 机会。 高速电机 由于拥有高基波频率，这些电机也需要高开关频率。它们适用于高功率密度电
2024-01-16 09:37
