IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极性三极管)和MOSFET(绝缘
2023-11-24 15:51
众多终端产品制造商纷纷选择采用SiC技术替代硅基工艺，来开发基于双极结型晶体管（BJT）、结栅场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅
2024-04-10 12:31
由三个端子组成的器件，可通过控制三端的电流或电压实现器件的导通或关断，包括双极型（BJT）、场效应型如MOSFET 及绝缘栅型如IGBT 等器件。
2023-05-10 10:50
逆变器的主功率元件的选择至关重要，目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管（GTR），功率场效应管（MOSFET），绝缘栅晶体管（IGBT）和可关断晶闸管（GTO）等。在小容量低压系统
2012-10-09 14:36
按照器件结构，分为二极管、功率晶体管、晶闸管等，其中功率晶体管分为双极性结型晶体管（BJT）、结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）等。
2023-05-06 11:10
尽管这些电源是辅助系统，但仍需要确保高可靠性和稳定性，因其在为关键模块供电，如可能包括核心控制器的逻辑级电路，或导通和关断功率金属氧化物硅场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的门极驱动器。
2020-11-11 11:37
比较场效应管MOSFET和绝缘栅双极晶体管IGBT构成的逆变电路，针对IGBT构成的逆变电路中的重要环节分别提出改进方案来优化电路设计。最终既满足对高压大容量系统要求，又可以提高整个
2012-03-07 10:42
功率开关要么使用传统的硅基技术制造，例如MOSFET和绝缘栅双极晶体管 (IGBT)，要么使用更新的宽带隙半导体制造，例如碳化硅和氮化镓。在相关应用中，汽车是近年来发展势头强劲的领域，主要是由于正在向电动汽车过渡以及
2022-07-29 08:06
按照器件结构，分为二极管、功率晶体管、晶闸管等，其中功率晶体管分为双极性结型晶体管（BJT）、结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）等。
2023-02-07 09:50
近日，德州仪器 （TI） 推出了业内速度最快的半桥栅极驱动器。这款用于分立式功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 的栅极驱动器的工作电压可达到600V。
2015-10-16 16:32
