SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的
2023-02-16 09:40
（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有：横向导电双扩散型场效应晶体管LDMOS
2023-06-05 15:12
极（ Drain ）和源极（ Source ）。功率 MOSFET 为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的 MOSFET 的结构有：横向导电双扩散型
2023-06-28 08:39
MOSFET结构、特性参数及设计详解
2023-01-26 16:47
SiC MOSFET的桥式结构
2023-12-07 16:00
功率MOSFET为多单元集成结构，如IR 的HEXFET采用六边形单元;西门子Siemens的SIPMOSFET采用正方形单元;摩托罗拉公司Motorola的TMOS采用矩形单元按品字形排列
2022-10-07 10:39
MOSFET和IGBT内部结构不同，决定了其应用领域的不同。
2023-11-03 14:53
功率电路中常用垂直导电结构的MOSFET(还有横向导电结构的MOSFET，但很少用于耐高压的功率电路中)，如下图是这种MOS
2023-02-16 11:25
和更低的导通电阻，因此在高频、高功率和高温应用中具有显著优势。 GaN MOSFET器件结构 GaN MOSFET的基本结构包括以下几个部分： 1.1 衬底：GaN
2024-07-14 11:39
图所示为IR功率MOSFET的基本结构。图中每一个六角形是一个MOSFET的原胞（cell）。正因为原胞是六角形的（hexangular）,因而IR常把它称为HEXFET。功率
2009-07-27 09:42
