在射频功率放大器中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的选择对于实现高效、稳定的功率放大至关重要。虽然射频功率放大器的设计可能涉及多种不同类型的MOSFET，但针对射频应用的特定需求，通常会优先考虑一些具有
2024-08-23 11:46
金氧半场效晶体管（MOSFET）凭借其通用性和广泛用途跻身于最受欢迎的晶体管之列。欧时电子指南将详述这类晶体管的工作机制，并提供关于使用和选择恰当MOSFET类型的实用建议。
2023-10-26 10:36
功率MOSFET的类型：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。当栅极电压为零时，有导电通道和增强型。对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零，功率MOSFET主要是N沟道增强。
2023-07-04 16:50
这两种 MOSFET 类型对 MOSFET 栅极电压具有相反的响应。MOSFET 栅极处的输入逻辑低信号将导致 p 沟道 MOS
2023-11-15 15:09
晶体管，它属于电压控制型半导体器件。根据导电沟道类型和栅极驱动电压的不同，可以分为N沟道-增强型MOSFET、N沟道-耗尽型MOSFET、P沟道-增强型MOSFET、P
2023-11-07 14:51
在EMC中，MOSFET 栅极驱动电路常见类型
2025-04-14 16:48
一个好的 MOSFET 正向测量时内部二极管应该有 0.4V 至 0.9V 的压降（取决于MOSFET类型），如果压降为零，则 MOSFET 有缺陷，当读数为“开路”或
2023-09-10 09:02
MOSFET的类型很多，按导电沟道可分为P沟道和N沟道；根据栅极电压与导电沟道出现的关系可分为耗尽型和增强型。功率场效应晶体管一般为N沟道增强型。
2019-10-11 10:33
NMOS晶体管和PMOS晶体管是两种常见的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）类型，它们在多个方面存在显著的差异。以下将从结构、工作原理、性能特点、应用场景等方面详细阐述NMOS晶体管和PMOS晶体管的区别。
2024-09-13 14:10
SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道，尽管其工艺复杂，单元一致性比平面结构差。
2023-04-01 09:37
