的开关速度会使得串扰行为更容易发生，也会更容易发生误开通现象，所以如何有效可靠地驱动碳化硅MOSFET至关重要。我们发现，如果在驱动电路中使用米勒钳位功能，可以有效地抑制碳化硅 MOSFET误开通的风险，从而提高系统
2024-06-21 09:48
本文介绍了米勒效应的由来，并详细分析了MOSFET开关过程米勒效应的影响，帮助定性理解米勒平台的形成机制。最后给出了场效应管栅极电荷的作用。
2022-03-10 14:44
各位小伙伴，不久前我们推送了“SiC科普小课堂”视频课——《什么是米勒钳位？为什么碳化硅MOSFET特别需要米勒钳位？》后反响热烈，很多朋友留言询问课件资料。今天，我们将这期视频的图文讲义奉上，方便大家更详尽地了解在
2024-12-19 11:39
，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区;但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时
2022-04-19 10:28
在描述米勒平台（miller plateau）之前，首先来看看“罪魁祸首”米勒效应（miller effect） 。
2019-02-02 17:08
当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极
2021-03-15 15:01
关于MOS管的米勒效应，已经输出了8篇，今天这一篇是MOS管章节的最后一篇，下一篇就开始整理运放相关的内容。我个人认为今天聊的这个话题至关重要：抑制米勒效应和抑制EMI之间如何平衡。
2023-04-17 10:28
在上一篇文章中详细描述了带阻性负载时米勒平台是怎样的，对各阶段做了定量分析，相信看过的同学应该会有所收获。今天我们来聊一聊带感性负载时米勒平台是怎样的。
2023-03-26 13:40
由于米勒电容阻止了Vgs的上升，从而也就阻止了Vds的下降，这样就会使损耗的时间加长。（Vgs上升，则导通电阻下降，从而Vds下降）
2022-08-29 11:28
）电流产生的功耗。 从上述公式推导得出，三部分功耗中只有一个与MOSFET栅极电容充电和放电有关。 这部分功耗通常是最高的，特别在很低的开关频率时。为了计算公式 1 的值，需要知道 MOSFET 栅极电容。MOSFET
2024-10-29 10:45
