时刻并不一样，因此开通时刻和关断时刻的米勒平台电压VGP也不一样，要分别根据各自的电流和跨导计算实际的米勒平台电压。（2）模式M2：t6-t7在t6时刻，功率MOSFET进入关断的
2017-03-06 15:19
的开通过程中，跨越线性区是产生开关损耗的最根本的原因。这表明：米勒平台时间在开通损耗中占主导地位，这也是为什么在选择功率MOSFET的时候，如果关注开关损耗，那么就应该关注Crss或QGD，而不仅仅是
2017-02-24 15:05
矛盾的参数，为了减小导通电阻，就必须增加硅片面积；硅片面积增加，寄生的电容也要增加，因此对于一定的面积硅片，只有采用新的工艺技术，才能减小的寄生的电容。通常功率MOSFET的开关损耗主要与米勒电容、即
2016-10-10 10:58
MOSFET教程
2020-05-24 09:22
电机驱动设计中MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计相关文章资料，大家可以看看，对大家很有帮助！
2021-03-29 16:18
本帖最后由 xuehumaiya 于 2016-7-15 10:29 编辑 N沟道MOSFET PowerTrench®[N-Channel PowerTrench® MOSFET]常用管...................
2013-03-01 08:23
也是不允许的。下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。1、MOS管种类和结构MOSFET管是FET的...
2021-07-29 09:46
金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路
2018-12-28 15:44
2018-11-01 11:25
`MOSFET焊接问题`
2012-08-14 21:06
