• 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
返回

电子发烧友 电子发烧友

  • 全文搜索
    • 全文搜索
    • 标题搜索
  • 全部时间
    • 全部时间
    • 1小时内
    • 1天内
    • 1周内
    • 1个月内
  • 默认排序
    • 默认排序
    • 按时间排序
大家还在搜
  • MOSFET电容在LLC串联谐振电路中的作用

    感性负载下,电流相位上会超前电压,因此保证了MOSFET运行的ZVS。要保证MOSFET运行在感性区,谐振电感上的谐振电流必须足够大,以确保MOSFET源漏间等效的寄生电容

    2018-07-18 10:09

  • MOSFET的门源极并联电容相关资料下载

    MOSFET门 源极并联电容后,开关可靠性得到提升开关电路如下图电路解释开关电路如下图电路解释1.该电路用于高边开关,当MOS_ON 网络拉低到地时,开关Q1导通;2.电路中D3作用为钳位Q1门源

    2021-12-30 07:40

  • 功率MOSFET的开关损耗:关断损耗

    大于B管,因此选取的MOSFET开关损耗占较大比例时,需要优先考虑米勒电容Crss的值。整体开关损耗为开通及关断的开关损耗之和:从上面的分析可以得到以下结论:(1)减小驱动电阻可以减小线性区持续的时间

    2017-03-06 15:19

  • 产品电阻、电感、电容MOSFET主要参数分析

    、输入阻抗高;3、工作频率范围宽,开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒),开关损耗小;4、有较优良的线性区,并且 MOSFET 的输入电容比双极型的输入电容小得多,所以它的交流输入阻抗极高;噪声也小,最合适制作

    2016-05-23 11:40

  • 功率MOSFET结构及特点

    矛盾的参数,为了减小导通电阻,就必须增加硅片面积;硅片面积增加,寄生的电容也要增加,因此对于一定的面积硅片,只有采用新的工艺技术,才能减小的寄生的电容。通常功率MOSFET的开关损耗主要与

    2016-10-10 10:58

  • 功率MOSFET的开关损耗:开通损耗

    :t0-t1起始状态从t0时刻开始,当驱动电压信号通过电阻加在功率MOSFET的栅极G时,驱动电压对G极的电容充电,G极电压成指数上升。MOSFET的漏极和源极所加的电压VDS为电源电压VDD,漏极电流

    2017-02-24 15:05

  • 开关电容电路及MOSFET_C连续时间电路——原理与应用 166页 1.9M

    `开关电容电路及MOSFET_C连续时间电路——原理与应用 166页 1.9M`

    2012-08-20 16:30

  • linux发行版指的是什么

    6.1、linux内核、发行版linux本身指的是一个操作系统内核,只有内核是无法直接使用的。我们需要的,可以使用的操作系统是一个包含了内核和一批有用的应用程序的一个集合体,这个就叫linux发行版

    2021-12-15 07:51

  • 边缘计算指的是什么

    的术语包括:分布式计算、混合边缘计算、异构计算、矩阵计算、盒中数据中心、本地云、网络边缘、雾计算等。根据行业的不同,每个术语都有其独特的含义。在概念层面上,边缘计算指的是使计算更接近使用它的地方或更接近数据源。这个概念不仅限于计算服务,还可以包括网络或存储服务。在物理空间的层面上,边缘计算分为:Netw

    2021-09-15 07:44

  • MOSFET教程

    MOSFET教程

    2020-05-24 09:22