米勒效应的影响：MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后，
2025-03-25 13:37
，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电
2021-01-27 15:15
场效应管和IGBT的驱动经常听到米勒效应这个词，查阅了一些资料是栅极和漏极之间的等效电容，这个等效电容在场效应管或者IGBT开通的时候在某一阶段会放大较多倍，进而导致驱
2024-01-11 16:47
通时，下管的电压会以较高的dv/dt上升，IGBT的反向传输电容与输入电容之比增加会增加米勒效应，噪声会从集电极耦合到栅极，此操作会在下管栅极引入电流，会使下管误导通”【1】自己查了一下米勒
2017-12-21 09:01
状态) 所以就出现了所谓的图腾驱动!!选择MOS管时，Cgd越小开通损耗就越小。米勒效应不可能完全消失。 MOS管中的米勒平台实际上就是MOSFET处于“放大区”的
2018-12-19 13:55
《什么是米勒钳位？为什么碳化硅MOSFET特别需要米勒钳位？》后反响热烈，很多朋友留言询问课件资料。今天，我们将这期视频的图文讲义奉上，方便大家更详尽地了解在驱动碳化硅MOSF
2025-01-04 12:30
MOS管与IGBT是不是都有这个GS米勒效应？
2019-09-05 03:29
三极管会不会存在米勒效应
2019-09-10 04:37
MOSFET开时米勒平台的形成过程的详细解析！纯手工画图解析，这资料还是可以的回帖直接下载原文档 [hide]https://pan.baidu.com/s/1gf0A2pt[/hide]
2017-10-25 16:14
请问各路大神，场效应管组成的放大电路，存在米勒效应，阶跃时间变得很长，是不是需要增大前级驱动电流，就能减小阶跃时间，或者还有其他方法吗，我看米勒
2018-08-08 10:29
