描述使用 NE555 和 Mosfet 调整脉冲宽度调制这是一个简单的电路，非常容易构建并且效率很高。有足够的空间安装散热器，您可能想使用 IRFZ44N 代替。PCB
2022-08-09 06:40
时刻并不一样，因此开通时刻和关断时刻的米勒平台电压VGP也不一样，要分别根据各自的电流和跨导计算实际的米勒平台电压。（2）模式M2：t6-t7在t6时刻，功率
2017-03-06 15:19
的开通过程中，跨越线性区是产生开关损耗的最根本的原因。这表明：米勒平台时间在开通损耗中占主导地位，这也是为什么在选择功率MOSFET的时候，如果关注开关损耗，那么就应该关注Crss或QGD，而不仅仅是
2017-02-24 15:05
，合适于功率MOSFET的应用。这种结构称为垂直导电双扩散MOS结构VDMOSFET（Vertical Double Diffused MOSFET）。N沟道MOSFET
2016-10-10 10:58
通或截止，米勒电容产生的米勒平台的线性区，也就是产生开关损耗的区间，持续的时间非常短，通常是几个或几十个ns，因此使用测量到的功率MOSFET电压和电流的波形，在SOA
2016-10-31 13:39
的漏极电流远远大于系统的最大电流，因此在导通过程中，功率MOSFET要经过Miller平台区，此时Miller平台区的的电压VGS对应着系统的最大电流。然后Miller电容的电荷全部清除后，VGS
2016-08-15 14:31
整理下几款合适的嵌入式硬件平台吧。1. Movidius的一些系列产品(2016年被Intel收购）代表产
2022-02-17 08:02
目录1、cpu处理的数据宽度2、数据总线宽度3、地址总线宽度4、性能差别1、cpu处理的数据宽度CPU处理的数据的宽度,
2021-07-13 06:20
MOSFET教程
2020-05-24 09:22
电机驱动设计中MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计相关文章资料，大家可以看看，对大家很有帮助！
2021-03-29 16:18
