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常见的MOS管驱动方式有非隔离的直接驱动、自举驱动，和有隔离的变压器驱动、光耦隔离驱动等，ir2110驱动芯片替代料ID7S625高压高低侧栅极驱动芯片是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率

2022-07-30 16:06 深圳市骊微电子科技 企业号

 工作原理因为这种产品要求成本低，所以ID卡检测电路部分采用分立元件实现。使用辉芒带内部运放的单片机，PWM脚输出125K信号驱动天线，接收到的ID卡数据通过MCU内部运放放大，解码得到

2023-02-24 11:04 深圳市澜起智能科技有限公司 企业号

ID7U603是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片，可兼容代换IR2104，应用领域于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、照明镇流器、半桥驱动

2023-03-29 09:24 深圳市骊微电子科技 企业号

关于MOS管驱动电路设计，本文谈一谈如何让MOS管快速开启和关闭。一般认为MOSFET（MOS管）是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS

2022-11-08 10:31 嘉瀚芯科技 企业号

简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑

2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号

AS7211AP是一款用于替代反激变换器中 副边肖特基二极管的高性能同步整流功率开关， 内置60V超低导通阻抗功率 MOSFET 以提升 系统效率。支持 “High Side 浮地”和“Low

2023-10-14 16:01 腾震粤电子 企业号

BTD25350双通道隔离，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，非常适合充电桩中后级LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列双通道隔离型门极驱动器，峰值输出电流可达10A

2023-11-30 09:42 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号

30V超低内阻mos管SVG030R7NL5、SVG031R1NL5、SVG031R7NL5、SVG032R4NL5系列是 N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰的LVMOS工艺技术制造。具有

2022-08-30 13:54 深圳市骊微电子科技 企业号

这个功率MOSFET是使用米特克的先进的屏蔽栅MOSFET技术。这项先进的技术是特别定制的为了最大限度地减少导通状态电阻，提供优越的开关性能优良，并能承受高能脉冲中的冲击雪崩和换向模式。这些设备很好

2024-09-26 11:19 腾震粤电子 企业号

AS7202是一种次级侧同步整流器回程转换器。它集成了超低导通状态电阻45V功率MOSFET，即可替代肖特基二极管的高效率。AS7202支持高侧和低侧应用。AS7202内置高压电源的VDD电容器

2023-10-17 17:53 腾震粤电子 企业号