一定范围内可以认为，改变VGS来控制漏源之间的电阻，达到控制ID的作用。由于这种结构在VGS＝0时，ID＝0，称这种场效应管(MOSFET)为增强型。另一类场效 应
2011-12-19 16:52
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-5 04:51 编辑 求高手指教：MOSFET管驱动电路 求给出电路图以及相关参数的计算详细过程
2013-03-25 20:55
MOSFET管的耐压在150左右，电流在80A左右，MOSFET管怎么选择？什么型号的MOSFET管子合适。主要用在逆变
2016-12-24 14:26
。数据表中ID只考虑导通损耗，在实际的设计过程中，要计算功率MOSFET的最大功耗包括导通损耗、开关损耗、寄生二极管的损耗等，然后再据功耗和热阻来校核结温，保证其结温小于最大的允许值，最好有一定的裕量
2016-08-15 14:31
需要采购MOSFET 测试设备， 满足手工测试MOSFET的电参数（IDSS/IGSS/VTH/RDSON/VDSS/VGSS等等），ID电流最大100A，VDS电压高至1500V，
2021-05-06 09:57
[size=13.63636302948px]BUCK电路里面如果用MOSFET做开关管，TL494做脉冲宽度调制 (Pwm) 控制电路，请问怎么驱动MOSFET，，，加在栅极上的电压好像要很高。。
2014-11-15 16:35
MOSFET电容特性建模Saber软件MOSFET体二极管电流与电压特性曲线建模Saber软件MOSFET体二极管反向恢
2017-04-12 20:43
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和温度特性关于
2019-04-10 06:20
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性Vd-Id
2018-12-03 14:29
在POWER MOSFET数据手册上，有些手册上只标明了Silicon limit，而且这个值往往很大。请问，在实际应用时，应该参照哪一个Id值。
2013-12-17 10:35
