问题1：在功率MOSFET管应用中，主要考虑哪些参数？在负载开关的功率MOSFET管导通时间计算，通常取多少比较好？相应的PCB设计，铜箔面积布设多大散热会比较好？漏极
2023-12-03 09:30
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而
2022-12-06 09:14
本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响，并且根据SiC Mosfet
2015-06-12 09:51
扫描速率、峰值电流和峰值电势在电化学研究中，特别是在循环伏安法（Cyclic Voltammetry, CV）实验中，存在着密切的关系。 一、扫描速率与峰值电流的关系 在循环伏安法中，扫描速率是一个
2024-10-14 14:49
高压MOSFET管通过栅极与源极之间的电场控制漏极与源极之间的电流，实现高效功率开关功能。
2025-03-24 14:12
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而
2018-01-22 07:21
利用一路ADC采集峰值检波电路的峰值，根据峰值将信号进行不同程度的放大，一路ADC做信号采集。这样采集的信号的完整性就会大大提高。
2020-10-02 17:47
峰峰值定义 峰峰值是指一个周期内信号最高值和最低值之间差的值，就是最大和最小之间的范围。它描述了信号值的变化范围的大小。峰值是以0刻度为基准的最大值，有正有负。而峰峰值
2017-11-22 10:47
MOSFET是一种半导体器件，属于可控硅器件，也称为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它可以用来控制电流和电压。
2023-02-17 14:48
关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。
2022-08-01 09:51
