依存性温度特性实测例见图(1) ~ (3)所示关于容量特性的温度依存性几乎没有差异。图3: 容量温度特性关于MOSFET的开关及其温度
2019-04-10 06:20
。SiC-MOSFET体二极管的正向特性下图表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-
2018-11-27 16:40
、工作原理和应用特性等相关内容。基本概念连接时通常打开而不施加任何栅极电压的MOSFET称为耗尽型MOSFET，也就是说，在耗尽型
2022-09-13 08:00
依赖性该特性是用于设计在预定工作电流Id的情况下在什么栅极驱动电压下影响V_DS(on)区域(导通电阻区域)的特性曲线。对于功率MOSFET，根据栅极驱动工作电流生产1
2024-06-11 15:19
的电压和电流的值称为“阈值”。VGS(th)、ID-VGS与温度特性首先从表示ID-VGS特性的图表中，读取这个MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的条件是一致
2019-05-02 09:41
MOSFET的稳态特性总结（1）：功率MOSFET 稳态时的电流/电压曲线（2）：说明功率 MOSFET 正向饱和导通时
2018-10-25 16:11
基极电流控制集电极与发射极之间的电流；而MOS管是压控流器件，也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。MOSFET管是FET的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型
2019-03-03 06:00
范围对应着三种不同驱动电压类型的功率MOSFET，下面就来认识这三种类型的功率MOSFET。1、功率
2019-08-08 21:40
特性对开关电源工程师来说至关重要，下面就对MOS管的特性做一个简要的分析。 一、MOS管的电压
2018-10-19 16:21
的半导体开关器件。IGBT 晶体管采用了这两种类型的晶体管的最好的部分，高输入阻抗和高开关速度的 MOSFET 与低饱和电压
2022-04-29 10:55
