毕设要求做一个脉冲发生器模拟局部放电脉宽需要达到纳秒级别我的想法是通过开关器件的高速开关来产生脉冲，然后用pwm芯片来控制开关管的导通现在的问题是，纳秒级别，也就是100MHz左右的频率，用mosfet和基于dds芯
2016-04-21 16:01
简单；2．输入阻抗高，可达108Ω以上；3．工作频率范围宽，开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒)，开关损耗小；4．有较优良的线性区，并且场效应管(MOSFET)的
2011-12-19 16:52
.MOSFET的 工作原理 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体
2019-06-14 00:37
，这些材料在生产方便性和可靠性上都更具有优势。不妨碍对MOSFET结构和基本工作原理的理解，在此仍认为其是金属材料。和结型场效应晶体管一样，在MOSFET中载流子也是从
2024-06-13 10:07
和研究领域。频率为20~30kHz，使用可控硅整流器的谐振电源已经使用了多年。MOSFET管的出现使电路可以工作在更高的频率
2023-09-28 06:33
MOSFET管的耐压在150左右，电流在80A左右，MOSFET管怎么选择？什么型号的MOSFET管子合适。主要用在逆变
2016-12-24 14:26
着一定的饱和程度，也对应着跨导限制的最大电流。恒流区也被称为放大区，因为MOSFET也可以作为信号放大元件，可以工作在和三极管相类似的放大状态，MOSFET的恒流区就相
2016-12-21 11:39
从本篇开始，介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。功率晶体管的特征与定位首先来看近年来的主要功率晶体
2018-11-28 14:28
电路应运而生。LLC谐振变换器能够在较宽的电源和负载波动范围内调节输出，而开关频率波动却较小。在整个工作范围内，能够获得零电压开关（ZVS）半桥LLC谐振变换器LLC电路MOSFET应用不同于PFC
2019-09-17 09:05
lOmΩ；工作频率<br/>范围从直流到达数兆赫；保护措施越来越完善；并开发出各种贴片式功率MOSFET(如<br/>SILIConix最近开发
2010-08-12 13:58
