一、MOS管选型注重的参数1、负载电流IL --它直接决定于MOSFET的输出能力；2、输入-输出电压–它受MOSFET负载占空比能力限制；3、开关频率FS–
2021-11-16 09:06
`国外MOSFET管子参数对照手册`
2012-10-10 10:32
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet
2023-06-16 06:04
另一方面，诸如FET固有体二极管的输出电荷 (QOSS) 和反向恢复电荷(Qrr) 等开关参数是造成很多高频电源应用中大部分FET开关损耗的关键因素。不好意思，我说的这些听起来有点儿前言不搭后语
2022-11-18 08:05
，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2 或 SiN)及半导体三种材料制成的器件MOSFET的主要参数有ID,IDM，VGS,V(BR)DSS,RDS(on) ,VGS
2016-05-23 11:40
功率场效应管MOSFET,功率场控晶体管
2019-04-10 10:02
`MOSFET管经典驱动电路设计大全`
2012-08-17 15:47
`MOSFET管经典驱动电路设计大全`
2012-08-06 12:23
2021-05-18 09:50
。数据表中ID只考虑导通损耗，在实际的设计过程中，要计算功率MOSFET的最大功耗包括导通损耗、开关损耗、寄生二极管的损耗等，然后再据功耗和热阻来校核结温，保证其结温小于最大的允许值，最好有一定的裕量
2016-08-15 14:31
