的半导体开关器件。IGBT 晶体管采用了这两种类型的晶体管的最好的部分，高输入阻抗和高开关速度的 MOSFET 与低饱和电压的双
2022-04-29 10:55
双极性晶体管与MOSFET对比分析哪个好？
2021-04-20 06:36
肖特基二极管，那么功率损耗大约为3.5W。除了功率耗散，电路中的可用电压为电源电压减去二极管压降。在工业和汽车应用中，大多数前端接口要求反向
2018-09-04 14:59
MOSFET(MOS管)中的“开关”时间可以改变电压吗？
2023-05-16 14:26
，电路中的可用电压为电源电压减去二极管压降。在工业和汽车应用中，大多数前端接口要求反向极性保护，而这一保护功能通常由二极管
2022-11-17 07:18
引用:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极性三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应
2023-02-10 15:33
MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道MOSFET或N沟道
2021-04-09 09:20
Transistor）。由于具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较小尺寸，N沟道MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道
2018-03-03 13:58
与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚
2018-12-28 15:44
。为了改善某些参数的特性，如提高工作电流、提高工作电压、降低导通电阻、提高开关特性等有 不同的结构及工艺，构成所谓VMOS、DMOS、TMOS等结构。图2是一种N沟道增强型功率场效应管(MOSFET
2011-12-19 16:52
