本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:59 编辑 请哪位高手指点一下，如何测量IGBT单管的好坏，谢谢
2012-07-25 21:49
最大的连续漏极电流ID的计算公式： 其中，RDS(ON)_TJ(max)为在最大工作结温TJ下，功率MOSFET的导通电阻；通常，硅片允许的最大工作结温为150℃。热阻RqJC的测量可以参见文章：功率
2016-08-15 14:31
功率场效应管MOSFET,功率场控晶体管
2019-04-10 10:02
`MOSFET管经典驱动电路设计大全`
2012-08-17 15:47
`MOSFET管经典驱动电路设计大全`
2012-08-06 12:23
光电二极管的管芯主要用硅材料制作。光电二极管常用英文缩写PD表示。（1）电阻测量法：用万用表R×100或R×1K挡。像测普通二极管一样，正向电阻应为10K左右，无光照射
2021-05-25 06:00
场效应管的作用：放大、调制、谐振和作开关用，场效应管是电压控制型器件。场效应管的好坏判断：把数字万用表打到二极管档，用万
2012-05-04 09:51
,黑笔接栅极,红笔接阴极.二极管测量: 黑笔接阳极,红笔接阴极.只能做一个大致判断,数字表好象不爽.性能就很差了. 此方法只是粗略评估. 供参考!只有万用表的情况下怎么来检测电子管的
2018-10-12 22:32
1.MOSFET的速度比晶体管或IGBT快。2.MOSFET的过电流适中；晶体管是一个流控流型的，要使集电极上的电流增大，基极上的电流就要增大，但是基极上的电流是无用的
2021-10-29 08:28
越大，说明其放大能力越强。 3．判断其好坏 用万用表R×10档或R×100档，测量场效应晶体管源极S和漏极D之间的电阻值。正常时，正、反向电阻均为几十欧姆至几千欧姆。且黑表笔接漏极D、红表笔接源极S
2021-05-25 07:05
