在功率MOSFET的数据表的开关特性中，列出了栅极电荷的参数，包括以下几个参数，如下图所示。Qg(10V)：VGS=10V的总栅极电荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的总
2017-01-13 15:14
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC
2023-06-16 06:04
本文从MOSFET技术和开关运行概述入手，按照由易而难的顺序，对各类问题进行了阐述。详细介绍了解接地参考和高侧栅极驱动电路的设计流程，以及交流耦合和变压器隔离解决方案。
2019-05-22 07:00
高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南
2019-03-08 22:39
描述PCB加提罗用于制作 aeg 气枪的 mosfet 栅极的 PCB。
2022-09-12 06:46
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30
MOSFET栅极驱动器LTC4441资料下载内容主要介绍了：LTC4441功能和特点LTC4441引脚功能LTC4441内部方框图LTC4441典型应用电路LTC4441电气参数
2021-03-29 06:26
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15
。数据表中ID只考虑导通损耗，在实际的设计过程中，要计算功率MOSFET的最大功耗包括导通损耗、开关损耗、寄生二极管的损耗等，然后再据功耗和热阻来校核结温，保证其结温小于最大的允许值，最好有一定的裕量
2016-08-15 14:31
高速栅极驱动器可以实现相同的效果。高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管的功耗来提高效率。体二极管是寄生二极管，对于
2022-11-14 07:53
