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描述 EG2122 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处 理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路

2023-09-17 12:57 腾震粤电子 企业号

MD18624高频栅极驱动器是设计用于驱动低侧n通道具有最大控制灵活性的mosfet独立的输入。每个通道可以源和汇5A峰值电流以及轨对轨输出能力。2.2nF负载下7ns/6ns上升和下降时间降低

2025-01-06 10:00 腾震粤电子 企业号

简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑

2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号

关于MOS管驱动电路设计，本文谈一谈如何让MOS管快速开启和关闭。一般认为MOSFET（MOS管）是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS

2022-11-08 10:31 嘉瀚芯科技 企业号

NSi6601M是单通道隔离式栅极驱动器，适用于驱动SiC，IGBT和MOSFET等功率管的多种应用场景。它具有很强的驱动能力，可以提供5A/5A的拉灌电流峰值电流。同时它具备了弥勒钳位功能，可以

2022-10-27 12:32 德瑞泰电子 企业号

终端客户可免费申请样品，我司有工程师提供1对1选型服务！纳芯微推出全新带保护功能的智能隔离单管驱动NSi66x1ANSi6611A/NSi6651A是单通道智能隔离式栅极驱动器，设计用于2121V

2022-10-27 10:35 德瑞泰电子 企业号

常见的MOS管驱动方式有非隔离的直接驱动、自举驱动，和有隔离的变压器驱动、光耦隔离驱动等，ir2110驱动芯片替代料ID7S625高压高低侧栅极驱动芯片是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率

2022-07-30 16:06 深圳市骊微电子科技 企业号

AS7211AP是一款用于替代反激变换器中 副边肖特基二极管的高性能同步整流功率开关， 内置60V超低导通阻抗功率 MOSFET 以提升 系统效率。支持 “High Side 浮地”和“Low

2023-10-14 16:01 腾震粤电子 企业号

30V超低内阻mos管SVG030R7NL5、SVG031R1NL5、SVG031R7NL5、SVG032R4NL5系列是 N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰的LVMOS工艺技术制造。具有

2022-08-30 13:54 深圳市骊微电子科技 企业号

AS7202是一种次级侧同步整流器回程转换器。它集成了超低导通状态电阻45V功率MOSFET，即可替代肖特基二极管的高效率。AS7202支持高侧和低侧应用。AS7202内置高压电源的VDD电容器

2023-10-17 17:53 腾震粤电子 企业号