。数据表中ID只考虑导通损耗，在实际的设计过程中，要计算功率MOSFET的最大功耗包括导通损耗、开关损耗、寄生二极管的损耗等，然后再据功耗和热阻来校核结温，保证其结温小于最大的允许值，最好有一定的裕量
2016-08-15 14:31
功率场效应管MOSFET,功率场控晶体管
2019-04-10 10:02
`MOSFET管经典驱动电路设计大全`
2012-08-17 15:47
`MOSFET管经典驱动电路设计大全`
2012-08-06 12:23
/**************************************************************************************实验现象：下载程序后"动态数码管模块"从左至右显示0-7接线说明： 单
2022-01-07 07:31
1.MOSFET的速度比晶体管或IGBT快。2.MOSFET的过电流适中；晶体管是一个流控流型的，要使集电极上的电流增大，基极上的电流就要增大，但是基极上的电流是无用的
2021-10-29 08:28
`功率场效应晶体管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10
接线图如下： 当稳压管在反向接法时，当反向电压小于击穿电压时，反向电流很小，呈现的动态电阻很大。通常工作电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好。 当反向电压大于击穿电压时，流过二极管的电流急剧增大，但是它两
2021-11-12 07:11
本帖最后由 xuehumaiya 于 2016-7-15 10:29 编辑 N沟道MOSFET PowerTrench®[N-Channel PowerTrench® MOSFET]常用管.........
2013-03-01 08:23
也是不允许的。下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。1、MOS管种类和
2021-07-29 09:46
