本文主要阐述了MOSFET在模块电源中的应用，分析了MOSFET损耗特点，提出了优化方法；并且阐述了
2015-09-18 14:33
MOS管在电源应用中作为开关用时将会导致一些不可避免的损耗，这些损耗可以分为两类。
2023-03-26 16:18
损耗是MOSFET的Qg乘以驱动器电压和开关频率的值。Qg请参考所使用的MOSFET的技术规格书。驱动器电压或者实测，或者参考IC的技术规格书。
2020-04-05 11:52
详解MOS驱动电路功率损耗的构成以及计算方法
2022-04-13 08:35
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）在电子设备中扮演着重要角色，然而其在实际应用中的损耗问题也是不容忽视的。为了
2024-05-30 16:41
电机作为现代工业生产中不可或缺的动力设备，其性能的优化与效率的提升对于节能减排、提高生产效率具有重要意义。电机损耗的降低不仅有助于减少能源消耗，还能延长电机的使用寿命，提高设备的整体运行效率。本文将详细介绍电机损耗降
2024-06-11 17:31
除了RDS（ON）之外，在MOS管的选择过程中还有几个MOS管参数也对电源设计人员非常重要。许多情况下，设计人员应该密切关注数据手册上的安全工作区（SOA）曲线，该曲线同时描述了漏极电流和漏源电压的关系。基本上，SOA定义了
2019-06-18 14:40
问题1：在功率MOSFET管应用中，主要考虑哪些参数？在负载开关的功率MOSFET管导通时间计算，通常取多少比较好？相应的PCB设计，铜箔面积布设多大散热会比较好？漏极
2023-12-03 09:30
MOS管的驱动对其工作效果起着决定性的作用。设计师既要考虑减少开关损耗，又要求驱动波形较好即振荡小、过冲小、EMI小。这两方面往往是互相矛盾的，需要寻求一个平衡点，即驱动电路的优化设计。驱动电路的
2018-03-12 19:08
MOSFET关断和第二个MOSFET导通之间的“死区时间”内，体二极管会导通。虽然死区时间通常很短暂（约80至100纳秒），但与这部分开关周期相关的损耗可能非常大。与体
2023-02-07 09:21
