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关于MOS管驱动电路设计，本文谈一谈如何让MOS管快速开启和关闭。一般认为MOSFET（MOS管）是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS

2022-11-08 10:31 嘉瀚芯科技 企业号

第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的击穿电压强度，更低的损耗和

2023-05-29 10:16 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号

电动汽车空调压缩机是热泵空调系统的核心，合适的功率器件可以提高其控制器的工作效率，从而可以提高整个系统的效率。传统的1200V硅IGBT方案开关损耗较大，散热问题严重，若采用碳化硅MOSFET方案

2023-08-09 10:12 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号

光伏优化器可以补偿失配产生的损失，每块光伏组件均接入光伏优化器，每块组件相对于光伏阵列来说是一个独立的整体，它的输出功率不会受到其他任何组件的影响，一直输出在当前环境条件下的最大功率值。威兆

2022-07-19 09:36 世纪风华科技 企业号

AS7211AP是一款用于替代反激变换器中 副边肖特基二极管的高性能同步整流功率开关， 内置60V超低导通阻抗功率 MOSFET 以提升 系统效率。支持 “High Side 浮地”和“Low

2023-10-14 16:01 腾震粤电子 企业号

PFC电路广泛应用于高频开关电源（特别是通信电源）中。现阶段，PFC电路多采用硅基材料，由于硅基材料的限制，电源的损耗较大，效率偏低。 在电源的PFC电路中，将硅基肖特基二极管直接

2022-07-25 13:47 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号

MOSFET的开关损耗。MD18624有11ns上升和下降传播延迟允许系统工作频率高，延迟小匹配的变化。这些延误非常严重。适用于需要双栅极的应用关键时刻的驱动程序，例

2025-01-06 10:00 腾震粤电子 企业号

简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑

2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号

，降低功率管的 应力，减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。 DK8607AD 极大的简化了反激式 AC-DC 转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密

2024-01-26 15:55 腾震粤电子 企业号

实验名称：高压放大器基于扫描式固体腔F-P干涉仪的设计与优化中的应用实验目的：优化设计扫描式固体腔F-P干涉仪实验设备：光源，准直扩束系统，待测电光晶体（包含驱动），4f系统和CCD，信号源

2022-11-29 10:09 Aigtek安泰电子 企业号