1.MOSFET的速度比晶体管或IGBT快。2.MOSFET的过电流适中；晶体管是一个流控流型的，要使集电极上的电流增大
2021-10-29 08:28
。数据表中ID只考虑导通损耗，在实际的设计过程中，要计算功率MOSFET的最大功耗包括导通损耗、开关损耗、寄生二极管的损耗等，然后再据功耗和热阻来校核结温，保证其结温小
2016-08-15 14:31
开关管导通时的功耗测试 开通时间Ton(uS) 4.955 (时间测量以电压波形为基准) 开通时电流的最小值Ion-min(A) 0.222 开通时电流的最大值Ion-max(A) 0.644 规格书上的导通电阻Ro
2011-06-10 10:10
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:46 编辑 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅
2012-07-05 11:45
MOSFET和开关频率不太高的中压功率MOSFET。如果需要低的导通电阻，只有增大的晶片面积，晶片的面积受到封装尺寸的限制，因此不适合于一些高功率密度的应用。平面型高压的功率M
2016-10-10 10:58
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选
2017-01-09 18:00
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计
2021-07-29 09:46
功率场效应管MOSFET,功率场控晶体管
2019-04-10 10:02
`MOSFET管经典驱动电路设计大全`
2012-08-17 15:47
`MOSFET管经典驱动电路设计大全`
2012-08-06 12:23
