。数据表中ID只考虑导通损耗，在实际的设计过程中，要计算功率MOSFET的最大功耗包括导通损耗、开关损耗、寄生二极管的损耗等，然后再据功耗和热阻来校核结温，保证其结温小于最大的允许值，最好有一定的裕量
2016-08-15 14:31
功率场效应管MOSFET,功率场控晶体管
2019-04-10 10:02
`MOSFET管经典驱动电路设计大全`
2012-08-17 15:47
`MOSFET管经典驱动电路设计大全`
2012-08-06 12:23
1.MOSFET的速度比晶体管或IGBT快。2.MOSFET的过电流适中；晶体管是一个流控流型的，要使集电极上的电流增大，基极上的电流就要增大，但是基极上的电流是无用的
2021-10-29 08:28
考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管
2012-07-05 11:45
layout（负电层）第四层layout小技巧MOSFET驱动电路原理图及PCB板设计)电路原理图整个驱动电路分为三个部分。一个是光耦隔离电路，负责把功率侧和逻辑侧隔离开来，防止强电侧电路干扰弱点侧电路
2021-11-15 07:26
`功率场效应晶体管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10
`本书介绍了功率器件MOSFET。功率MOSFET是一类导电沟道槽结构特殊的场效应管，它是继MOSFET之后新展开起来的高效、功率开关器件。本书深入解读了
2019-03-06 16:20
SI9114采用MOSFET电路图
2019-05-20 09:24
