分析如何减少肖特基二极管的压降 1、肖特基二极管压降的意义 肖特基
2018-11-19 15:24
20mA，对应的导通压降从3.5V增加到3.55V，则可计算得到ESR为50mV/10mA=5。 在图2-6中，稳压二极管被当作理想器件。实际上，稳压二极管也有ESR，
2014-08-18 14:22
` 肖特基二极管正向压降与温度变化的关系？正向压降与温升变化是呈线性变化的关系，当肖特基二极
2018-12-25 14:04
` 1、肖特基二极管压降的意义肖特基二极管*的优点是阻抗低、正向压降小
2018-11-01 15:23
之前和大家分享过电源完整性之仿真设计原理链接: link.今天接着上一篇文章总结一下电源直流压降的的仿真操作流程及一些simulation中的设置参数，用到的时候Cadence Sigrity 中
2021-11-17 06:26
的限制，也就是最大的电流IDM和最大的VGS要满足功率MOSFET的转移工作特性或输出特性限制：其中，gfsFS为跨导。图3：转移工作特性器件工作在线性区，功耗为电流和压降乘积，因此产生较大功耗，此电流该
2016-08-15 14:31
功率场效应管MOSFET,功率场控晶体管
2019-04-10 10:02
`MOSFET管经典驱动电路设计大全`
2012-08-17 15:47
`MOSFET管经典驱动电路设计大全`
2012-08-06 12:23
左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。 同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。 2，宽电压
2012-07-05 11:45
