这里介绍一种利用普通万用电表就能测出晶体管反向击穿电压的小仪器，其测量范围为0～1000V，可满足一般测量要求。 1.电路原理 晶体管反向击穿电压测试器的电路如下图所示
2021-05-07 07:20
焊性变差。MOS管被击穿的原因及解决方案第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的
2017-06-01 15:59
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。关于雪崩击穿问题将在雪崩能量的相关章节专门的讨论。 图1：BVDSS测试电路功率MOS
2016-09-06 15:41
引言如果我们要知道二级管中的限幅与稳压的区别，那么我们就先要知道关于二级管的一个重要特性。就是关于它的正向特性与反向击穿特性。二级管特性首先我们来看一张二级
2021-11-15 07:53
能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地，以防漏电击穿器件输入端，一般使用时，可断电后利用电烙铁的余热进行焊接，并先焊其接地管脚。 MOS管是
2018-11-05 14:26
稳压二极管的反击穿状态是正常的工作状态，那么，主要分为哪几种类型呢？A导通状态B截止状态C反向击穿状态稳压二极管(又叫齐纳二极管
2020-11-27 10:55
电流的损耗。工程师设计降压转换器时经常忽视“击穿”的问题。每当高端及低端 MOSFET 同时全面或局部启动时，便会出现“击穿”的现象，使输入电压可以将电流直接输送到接地
2022-01-03 07:30
。数据表中ID只考虑导通损耗，在实际的设计过程中，要计算功率MOSFET的最大功耗包括导通损耗、开关损耗、寄生二极管的损耗等，然后再据功耗和热阻来校核结温，保证其结温小于最大的允许值，最好有一定的裕量
2016-08-15 14:31
达到击穿电压。 击穿电压是电容器的极限电压，超过这个电压，电容器内的介
2018-03-28 10:17
三端稳压管反向击穿情况及分析与防护措施目录（一）OUT→IN端反偏（二）GND→IN端反偏（三）GND→OUT端反偏（四）Adj→OUT端反偏三端稳压管是一种直到临界反向击穿电
2021-11-12 07:36
