TVS管如何测量击穿电压？
2016-11-02 16:59
流过漏极和栅极之间的电容并流出栅极。驱动器必须能够接受此电流。这也是为什么外部栅极电阻必须由快速二极管并联以防止该电流在电阻两端产生过高电压的原因之一。对于中型MOSFET，1 N 4150 可以完成
2023-02-20 16:40
其实MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。而静电击穿有两种方式，
2019-02-12 13:59
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。功率MOSFET的耐压由结构中低掺杂层的外延层epi厚度N-决定。功率MOSFET
2023-02-20 17:21
肖特基二极管MUR3040PT的反向击穿电压和正向压降测试记录 测试器件MUR3040PT(ON)测试项目1.二极管反向击穿电压2.二极
2015-08-14 09:53
低压MOS管体二极管反向击穿电压
2020-01-15 17:12
。什么是雪崩失效本文的关键要点・当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，会造成击穿并引发雪崩击穿。・发生雪崩击
2022-07-26 18:06
齐纳二极管 稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管。利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压
2019-04-28 08:46
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。关于雪崩击穿问题将在雪崩能量的相关章节专门的讨论。 图1：BVDSS测试电路功率MOS
2016-09-06 15:41
这里介绍一种利用普通万用电表就能测出晶体管反向击穿电压的小仪器，其测量范围为0～1000V，可满足一般测量要求。 1.电路原理 晶体管反向击穿电压测试器的电路如下图所示
2021-05-07 07:20
