TVS管如何测量击穿电压？
2016-11-02 16:59
本文开始介绍了击穿电压的概念和击穿电压的主要因素，其次阐述了击穿电压的工
2018-04-03 16:11
MOSFET的击穿有哪几种？Source、Drain、Gate，场效应管的三极：源级S 漏级D 栅级G，（这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极
2022-02-09 11:42
功率MOSFET雪崩击穿问题分析 摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时
2009-07-06 13:49
流过漏极和栅极之间的电容并流出栅极。驱动器必须能够接受此电流。这也是为什么外部栅极电阻必须由快速二极管并联以防止该电流在电阻两端产生过高电压的原因之一。对于中型MOSFET，1 N 4150 可以完成
2023-02-20 16:40
击穿电压是使电介质击穿的电压，电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的
2019-09-04 11:19
其实MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。而静电击穿有两种方式，
2019-02-12 13:59
这里介绍一种利用普通万用电表就能测出晶体管反向击穿电压的小仪器，其测量范围为0～1000V，可满足一般测量要求。
2018-09-28 09:53
在TVS二极管的规格书中，工作电压、击穿电压和箝位电压，带回扫 TVS，低内阻TVS，这些参数，怎么灵活使用呢?
2024-03-07 10:39
