电子发烧友网站提供《GaN有体二极管吗?了解GaN的第三象限运行.pdf》资料免费下载
2024-09-19 12:55
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-
2019-04-10 06:20
特性。施加栅极电压时，根据VGS的值会产生非线性曲线。当VGS超过10V时，N沟道MOSFET完全在第三象限欧姆区内工作。然而，当栅极电压低于10V时，二极管电压钳位于
2021-04-09 09:20
类似于典型的二极管曲线。图5：未栅控N沟道MOSFET工作于第三象限的典型特性施加栅极电压时，根据VGS的值会产生非线性曲线。当VGS超过10V时，N沟道
2018-03-03 13:58
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性在功率转换中，MOSFET基本上被用作
2018-11-28 14:29
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性：在功率转换中，MOSFET基本上被用
2023-02-09 10:19
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技术 日前，Vishay Intertechnology推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchF
2008-12-08 11:55
碳化硅（SiC）MOSFET作为宽禁带半导体材料（WBG）的一种，具有许多优异的参数特性，这些特性使其在高压、高速、高温等应用中表现出色。本文将详细探讨SiC MOSFET
2025-02-02 13:48
单象限降压型电路 T是全控元件(GTR,GTO,MOSFET,IGBT),当 &nb
2010-03-01 16:54
