、性能和使用环境各不相同，失效机理也各不一样。各种常见失效模式的主要产生机理归纳如下。3.1失效模式的失效机理3.1.1 引起电容器击穿的主要失效
2011-12-03 21:29
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2012-08-15 14:36
`电容击穿的概念 电容的电介质承受的电场强度是有一定限度的，当被束缚的电荷脱离了原子或分子的束缚而参加导电，就破坏了绝缘性能，这一现象称为电介质的击穿。 电容器被击穿的条件 电容器被
2018-03-28 10:17
CPLD 是可以等价于 GAL 的阵列，编程的数学模型是基于多项式的乘用与门电路实现，而多项式的加用或门电路实现。那么我们 FPGA 的编程机理是什么呢？它为什么能够实现我们任意的函数表达式呢？我们
2021-07-30 06:39
电流的损耗。工程师设计降压转换器时经常忽视“击穿”的问题。每当高端及低端 MOSFET 同时全面或局部启动时，便会出现“击穿”的现象，使输入电压可以将电流直接输送到接地。 击
2022-01-03 07:30
ESP8266硬件机理1.ESP8266简介2.硬件结构3.运行机理3.1 Warning3.2 机理4.快速搭建服务器Attention4.1进入STA模式4.2复位4.3获取附近能够连接
2022-02-14 06:37
硬件芯片漏洞的机理和危害：只为传递“有趣/有用”的开发者内容，点击订阅！本周热门项目GitHub推出软件包托管服务Package Registry本周，GitHub 再下一城，推出自己的软件包托管
2021-07-28 07:26
静电的干扰机理与USB的传输原理1、静电的干扰机理 静电放电(ESD)是指具有不同静电电位的物体相互靠近或直接接触引起的电荷转移。ESD静电放电主要有两种方式（1）接触放电：试验发生器的电极保持
2013-12-21 09:52
的半导体器件。稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性，因而广泛应用于稳压电源与限幅电路之中。排除人为不当造成的电路出现反偏情况，常见的由应用电路在特定条件下产生的‘瞬态’反偏状态及击穿
2021-11-12 07:36
讨论如何根据RDS（ON）、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。 MOSFET的选择 MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，
2011-08-17 14:18
