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  • MOSFET的失效机理 —总结—

    MOSFET的失效机理至此,我们已经介绍了MOSFET的SOA失效、MOSFET的雪崩失效和MOSFET的dV/dt失效

    2022-07-26 18:06

  • MOS管电压型静电击穿特点

    型及功率型。飞虹MOS管厂家今天要分享的电压型静电击穿的特点。电压型击穿,即MOS管栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路,它的特点是:(1)

    2019-02-12 13:59

  • 电容的失效模式和失效机理

    、性能和使用环境各不相同,失效机理也各不一样。各种常见失效模式的主要产生机理归纳如下。3.1失效模式的失效机理3.1.1 引起电容器击穿的主要失效

    2011-12-03 21:29

  • 标准硅MOSFET功率晶体管的结构/二次击穿/损耗

    MOSFET没有二次击穿。这很快被证明是错误的,原因是寄生NPN。第二次击穿是从双极中得知的。虽然其基极被铝短路,但输出=漏极=集电极上的高dv/dt将通过集电极基极电容产生如此高的电流,以至于在基极

    2023-02-20 16:40

  • 电容器的常见失效模式和失效机理【上】

    `电容器的常见失效模式和失效机理【上】电容器的常见失效模式有――击穿短路;致命失效――开路;致命失效――电参数变化(包括电容量超差、损耗角正切值增大、绝缘性能下降或漏电流上升等;部分功能失效――漏液

    2011-11-18 13:16

  • 为什么二极管反向击穿后,反向电流会急剧增大?

    ,这时电子电流为主,但是P区电子很少,所以一定电压就能让电流饱和。这就是为什么说击穿前二极管反向电流几乎与电压无关。最后再谈谈击穿机理击穿大部分是突变的,从物理

    2020-12-04 15:26

  • 引起其漏源电流IDS退化的主要失效机理是什么?

    本文采用恒定温度应力加速寿命试验对功率VDMOS的可靠性进行了研究,得到较为完整的可靠性数据,并分析得到引起其漏源电流IDS退化的主要失效机理是栅极击穿,从而为功率VDMOS类型器件的加工制造及应用等方面提供有价值的数据。

    2021-04-14 06:37

  • 关于MOSFET的一些疑惑

    的时候,会损坏MOSFET,引起过冲和震荡。 想问下,过冲指什么,是什么情况。震荡又是指什么。怎么会出现这种情况,有无原理解释,还有就是如果损坏MOSFET的话损坏哪里,是不是击穿

    2013-03-09 12:58

  • 关于MOSFET栅极串电阻的疑问

    的时候,会损坏MOSFET,引起过冲和震荡。 想问下,过冲指什么,是什么情况。震荡又是指什么。怎么会出现这种情况,有无原理解释,还有就是如果损坏MOSFET的话损坏哪里,是不是击穿

    2013-02-08 15:28

  • LLC电路中的MOSFET

    了门极信号;如同直通电流一样,它会影响到该开关电源。这会产生很大的反向恢复dv/dt,有时会击穿MOSFET Q2。这样就会导致MOSFET失效,并且当采用的MOSFET

    2019-09-17 09:05