MOSFET的失效机理至此，我们已经介绍了MOSFET的SOA失效、MOSFET的雪崩失效和MOSFET的dV/dt失效
2022-07-26 18:06
功率MOSFET雪崩击穿问题分析 摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时
2009-07-06 13:49
半导体器件击穿机理分析及设计注意事项
2023-11-23 17:38
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时，自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离，从而产生电子-空穴对。这种电子-空穴对呈雪崩
2023-02-13 09:30
MOSFET等开关器件可能会受各种因素影响而失效。因此，不仅要准确了解产品的额定值和工作条件，还要全面考虑电路工作中的各种导致失效的因素。本系列文章将介绍MOSFET常见的失效机理。
2023-03-20 09:31
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，会造成击穿并引发雪崩击穿。
2022-05-16 15:05
MOSFET的失效机理 本文的关键要点 ・SOA是“Safety Operation Area”的缩写，意为“安全工作区”。 ・需要在SOA范围内使用MOSFET等产品。 ・有五个SOA的制约要素
2022-03-19 11:10
简述pn结的三种击穿机理 PN结是半导体器件中最常见的结构之一，它由P型半导体和N型半导体材料组成。在正向偏压下，PN结会工作在正常的导电状态，而在反向偏压下，PN结则会发生击穿现象，这是PN结
2023-09-13 15:09
MOSFET的失效机理本文的关键要点・dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB，使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。
2023-02-13 09:30
型及功率型。飞虹MOS管厂家今天要分享的电压型静电击穿的特点。电压型击穿，即MOS管栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路，它的特点是：（1）
2019-02-12 13:59
